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首頁產品展示分立半導體產品晶體管 - FET，MOSFET - 陣列SQJB80EP-T1_GE3

SQJB80EP-T1_GE3

型號: SQJB80EP-T1_GE3

製造商: Vishay / Siliconix

IC-Onlystock 型號: 73D-SQJB80EP-T1_GE3

封裝: PowerPAK® SO-8 Dual

數據表: SQJB80EP.pdf

RoHs狀態: MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK SO8

RoHs狀態

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製造商Vishay / Siliconix
VGS（TH）（最大）@標識2.5V @ 250µA
技術MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝PowerPAK® SO-8 Dual
系列Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓19mOhm @ 8A, 10V
功率 - 最大48W
封裝/箱體PowerPAK® SO-8 Dual
包裹Tape & Reel (TR)

工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds1400pF @ 25V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs32nC @ 10V
FET特點-
漏極至源極電壓（Vdss）80V
電流 - 25°C連續排水（Id）30A (Tc)
組態2 N-Channel (Dual)
基本產品編號SQJB80

SQJB80EP-T1_GE3.pdf

類似規範

產品屬性
型號	SQJB40EP-T1_GE3	SQJB90EP-T1_GE3	SQJB02ELP-T1_GE3	SQJB60EP-T1_GE3
製造商	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix
VGS（TH）（最大）@標識	-	-	-	-
安裝類型	-	-	-	-
工作溫度	-	-	-	-
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs	-	-	-	-
組態	-	-	-	-
技術	-	-	-	-
漏極至源極電壓（Vdss）	-	-	-	-
FET特點	-	-	-	-
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓	-	-	-	-
基本產品編號	-	-	-	-
封裝/箱體	-	-	-	-
供應商設備封裝	-	-	-	-
包裹	-	Bulk	Bulk	Bulk
電流 - 25°C連續排水（Id）	-	-	-	-
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds	-	-	-	-
系列	-	*	*	*
功率 - 最大	-	-	-	-

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